N-KANAVA FET 100V 1,0A 1,3W 540mohm DIP
Tilapäisesti loppu
SKU#: IRFD110
N-KANAVA FET 100V 1,0A 1,3W 540mohm DIP
Tilapäisesti loppu
SKU#: IRFD110
HEXFET® Power MOSFET
- Dynamic dv/dt Rating
- Repetitive Avalanche Rated
- For Automatic Insertion
- End Stackable
- 175°C Operating Temperature
- Fast Switching
- Ease of Paralleling
Määräalennus
| Määrä (kpl) | Hinta | |
|---|---|---|
| 10+ | undefined% | 1,08 € |
1,20 €
Tilapäisesti loppu verkkokaupasta
Tuotekuvaus
Tuotetiedot
- Saatavuus Tilapäisesti loppu verkkokaupasta
- Valmistaja IRF
- Tuotepolku Etusivu KomponentitAktiivikomponentitFET transistoritKytkinfetit N-kanava N-KANAVA FET 100V 1,0A 1,3W 540mohm DIP
- SKU IRFD110
- Ominaisuudet
- Kotelo DIP4
- Luokitus MOSFET
- Jänniteluokka 100V
- Virtaluokka 1A